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       碳化硅单晶在自然界极其稀有，几乎不存在。只能依靠人工合成制备。目前工业生产碳化硅衬底材料以物理气相升华法为主，这种方法需要在高温真空环境下将粉料升华，然后通过温场的控制让升华后的组分在籽晶表面生长从而获得碳化硅晶体。整个过程在密闭空间内完成，有效的监控手段少，且变量多，对于工艺控制精度要求极高。