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2018年11月20日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（简称“CASA“）发布三项联盟标准T/CASA 003-2018 《p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片》、T/CASA004.1 《4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语》、T/CASA004.2 《4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱》。三项标准由东莞市天域半导体科技有限公司技术总监孙国胜牵头，按照CASA标准制定程序（立项、征求意见稿、委员会草案、发布稿），反复斟酌、修改、编制而成。标准的制定得到了很多CASA标准化委员会正式成员的支持。
标准主要起草单位包括：东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、中国科学院微电子研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院。
T/CASA 003-2018《p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片》规定了4H碳化硅外延晶片的分类和标记、要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和储存。附录部分详细说明了采用光学成像方法快速获取4H-SiC外延片样品表面的缺陷、利用原子力显微镜获取表面粗糙度，并详细说明了外延层的厚度与掺杂浓度检测方法。
T/CASA004.1-2018《4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语》规定了4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语和定义，其中包括4H-SiC材料、缺陷共性用语、衬底缺陷、外延层缺陷以及工艺缺陷五部分，其中工艺缺陷包括抛光（CMP）、离子注入、高温退火与氧化等相关工艺产生的缺陷。
T/CASA004.2-2018《4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱》标准阐述了4H-SiC衬底及外延缺陷的图谱，其中包括4H-SiC衬底缺陷、外延缺陷以及工艺产生的缺陷；给出了4H碳化硅（4H-SiC）衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面的形貌特征图谱，说明了缺陷的特点、性质及其对外延生长或器件特征参数的影响，分析了产生的原因及消除方法，并进行了分类。
衬底缺陷包括位错、层错、微管、碳包裹体、晶型包裹体、双Shockley型堆垛层错、螺位错、刃位错、基晶面位错、小角晶界、划痕、CMP隐含划痕；
外延缺陷包括表面形貌缺陷、掉落颗粒物、三角形缺陷、彗星缺陷、胡萝卜缺陷、直线型缺陷、小坑缺陷、梯形缺陷、台阶缺陷、外延凸起、乳凸、界面位错、原生型层错、不全位错、半环列阵、点缺陷、碳空位、外延层螺位错、外延层刃位错、外延层基晶面位错；
工艺缺陷方面高温退火缺陷、氧化缺陷、电应力诱导缺陷、电应力诱导三角形层错、电应力诱导条形层错、干法刻蚀缺陷。
CASA标准化委员会将围绕科技创新、标准研制与产业发展协同机制，探索以科研研发提升技术标准水平、以技术标准促进科技成果转化应用新模式，发挥联盟优势，促进创新成果转化为现实生产力，引领产业发展，推进第三代半导体的技术进步和产业化，提高我国第三代半导体产业的整体竞争力。
CASA标准化委员会已经发布《第三代半导体电力电子产业标准体系报告》、《第三代半导体电力电子产业测试条件和能力报告》、联盟标准T/CASA001-2018《SiC肖特基势垒二极管通用技术规范》、联盟技术报告T/CASA/TR 001-2018 《SiC器件在DC/DC充电模块应用技术报告》、T/CASA 003-2018 《p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片》、T/CASA004.1-2018 《4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语》、T/CASA004.2-2018 《4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱》等，正在制定中的联盟标准包括T/CASA002-201X 《宽禁带半导体术语标准》、T/CASA005-201X 《GaN HEMT电力电子器件通用技术规范》、T/CASA006-201X 《碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管通用技术规范》、T/CASA007-201X 《电动汽车用SiC MOS模块评测》等。
